静态RAM和动态RAM之间的区别，哪个更快？ 2019年
RAM（随机存取存储器）是一种需要持续通电才能将数据保留在其中的存储器，一旦电源中断，数据将会丢失，这就是为什么它被称为易失性存储器。随机存取存储器（RAM）有两种类型：静态RAM和动态RAM，与另一种相比，每种都有其自身的优缺点。这里是完整的指南 sram和dram有什么区别 ，哪一个是更好的SRAM和DRAM，为什么DRAM需要刷新数千次？
帖子内容：
SRAM和DRAM之间的区别
静态RAM和动态RAM在许多情况下（例如速度，容量等）都彼此不同。这些差异是由于用于保存数据的技术不同而发生的。 DRAM为每个存储单元使用单个晶体管和电容器，而SRAM的每个存储单元使用6个晶体管的阵列。 DRAM需要刷新，而SRAM不需要刷新存储单元。
sram vs dram比较表
| 动态RAM | 静态RAM | |
|---|---|---|
| 介绍 | 动态随机存取存储器是一种随机存取存储器，其将数据的每个位存储在集成电路内的单独电容器中。 | 静态随机存取存储器是一种半导体存储器，它使用双稳态锁存电路来存储每个位。术语静态将其与必须定期刷新的动态RAM（DRAM）区别开来。 |
| 典型应用 | 计算机中的主内存（例如DDR3）。不用于长期存储。 | CPU中的L2和L3缓存 |
| 典型尺寸 | 智能手机和平板电脑从1GB到2GB；笔记本电脑4GB至16GB | 1MB至16MB |
| 存在的地方 | 目前在主板上。 | 存在于处理器上或在处理器和主内存之间。 |
sram和dram定义
DRAM代表动态随机存取存储器 被广泛用作 电脑 系统。 DRAM需要1个晶体管和1个电容器来存储1位。意味着DRAM芯片中的每个存储单元都保存一位数据，并由晶体管和电容器组成。晶体管用作开关，允许存储芯片上的控制电路读取电容器或更改其状态，而电容器负责以1或0的形式保存数据位。
众所周知，电容器就像是储存电子的容器。当该容器充满时，它指定为1，而没有电子的容器则指定为0。但是，电容器的漏电会导致其失去该电荷，结果，“容器”仅经过几下便变空。毫秒。为了使DRAM芯片正常工作，CPU或内存控制器必须在放电之前对充满电子的电容器（因此指示为1）进行充电，以保留数据。为此，内存控制器读取数据，然后将其重写。这称为刷新，并且每秒在DRAM芯片中发生数千次。由于需要不断刷新数据（这需要时间），因此DRAM速度较慢。
DRAM（例如DDR3）最常见的应用是计算机的易失性存储。 DRAM虽然不如SRAM快，但仍然非常快，可以直接连接到CPU总线。在智能手机和平板电脑中，DRAM的典型大小约为1至2GB，而在笔记本电脑中，则通常为4至16GB。
SRAM代表静态随机存取存储器 ，通常用于建立非常快的内存，称为 高速缓存存储器 。 SRAM需要6个晶体管来存储1位，并且比DRAM快得多。与DRAM相比，静态RAM使用了完全不同的技术。在静态RAM中，触发器形式保留着存储器的每一位。用于存储单元的触发器需要4或6个晶体管以及一些布线，但无需刷新。这使得静态RAM比动态RAM快得多。与动态RAM（DRAM）会将位存储在由电容器和晶体管组成的单元中不同，SRAM不必定期刷新。
但是，由于静态存储器单元具有更多的部件，因此其在芯片上所占的空间比动态存储器单元要大得多。因此，每个芯片的内存更少，这使静态RAM昂贵得多。
更快： 由于SRAM不需要刷新，因此通常更快。 DRAM的平均访问时间约为60纳秒，而SRAM的访问时间可低至10纳秒。
SRAM的最常见应用是用作处理器（CPU）的缓存。在处理器规格中，这被列为L2缓存或L3缓存。 SRAM的性能确实非常快，但SRAM昂贵，因此L2和L3缓存的典型值为1MB至8MB。
静态内存与动态内存
两者之间的主要区别在于用于保存数据的技术。由于这一关键差异，其他差异也随之出现。 SRAM利用锁存器存储数据（晶体管电路），而DRAM使用电容器存储电荷形式的位。 SRAM使用常规的高速CMOS技术进行构造，而DRAM使用特殊的DRAM工艺来实现优化的高密度。与SRAM相比，动态RAM具有简单的内部结构。
sram vs dram速度
SRAM通常比DRAM快 因为它没有刷新周期。由于每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，而不像DRAM存储单元由1个晶体管和1个电容器组成，因此与DRAM相比，SRAM中每个存储单元的成本要高得多。
我希望现在您可能已经了解了区别 在SRAM和DRAM之间 。而且重要的原因是需要在一个时钟周期内刷新RAM一百次。仍有任何查询建议可随时在评论中讨论。
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